گیت دی الکتریک در نانو ترانزیستورهای آنی
thesis
- وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه پیام نور - دانشکده علوم پایه
- author میثم رضایی ولاشدی
- adviser علی بهاری جمیل آریایی
- Number of pages: First 15 pages
- publication year 1387
abstract
چکیده ندارد.
similar resources
نانواکسی نیترید سیلیکون به عنوان یک گیت دی الکتریک مناسب در ترانزیستورهای cmos
چکیده ندارد.
15 صفحه اولبررسی خواص اکسیدهای عناصر کمیاب خاکی به عنوان گیت دی الکتریک
نانو ساختارهای اکسید لانتان تزریق شده با زیرکونیوم به روش سُل- ژل تهیه شدند. در این کار، مقادیر مشخصی از نیترات لانتان، پروپکساید زیرکونیوم، اسیداستیک و متاکسی اتانول با هم حل شده و نانوبلورکهای به دست آمده با تکنیکهای پراش پرتو ایکس (XRD) ، میکروسکوپ الکترونی عبوری (TEM) ، میکروسکوپ نیروی اتمی (AFM) و میکروسکوپ الکترونی روبشی (SEM) بررسی شدند. برای بررسی خواص الکتریکی و اندازهگیری ثابت دی...
full textرشد و مطالعه گیت دی الکتریک نانو ترانزیستور با آمونیاک
از زمانی که مطابق قانون مور, بکارگیری اکسیدسیلیکون حدود یک نانومتر برای نانوترانزیستورهای اثرمیدان ناممکن شده است.دی الکتریک های بسیاری نظیر اکسید و نیترید آلومینیوم اکسید زیرکونیوم,اکسید هافنیوم, اکسید تیتانیوم و مواد پلیمری مطرح شده اند. مطالعات بسیاری در دهه اخیر صورت گرفته است تا قابلیت اینگونه فیلم ها را به عنوان یک کاندیدای مناسب در تولیدات آتی قطعات الکترونیکی را بررسی کند. تقریبا تمام ا...
15 صفحه اولو مطالعه ویژگی های الکتریکی نانوکامپوزیت های هیبریدی NiO/PVCبه عنوان گیت دی الکتریک ترانزیستور
در سال های اخیر ضخامت گیت دی اکسید سیلیکون در تکنولوژی CMOSبه کمتر از دو نانومتر رسیده است. این تمایل بی سابقه به کوچککردن ترانزیستور ها، علاوه بر مزایای فراوان تکنولوژیکی، مشکلاتیهمچون افزایش تونل زنی کوانتومی، افزایش جریان نشتی و نفوذ اتمبور از گیت دی الکتریک فرانازک را به همراه داشته است مواد نانوکامپوزیت هیبریدی آلی به خاطر ویژگی های خوب الکتریکی همچون جریان نشتی پایین و ثابتدی الکتریک بالا...
full textبررسی ویژگی‌های ساختاری و الکتریکی نانوکامپوزیت‌های دورگه‌ی Al2O3/PVP (به عنوان درگاه دی الکتریک ترانزیستورهای اثر میدانی آلی)
Al2O3/PVP nano-hybrid composite samples are synthesized using sol-gel method at 75°C. Weight percent of poly 4-vinyl phenol and aluminum oxide is 0.0, 0.28, 0.56, and 0.84. To study the nano-structural and electrical characteristics, X-ray diffraction, Fourier transfer infrared radiation, scanning electron microscopy, and atomic force microscopy are used. Dielectric constant of the samples is m...
full textمقایسه ویژگی نانو ساختاری اکسید آلومینیوم و اکسید تیتانیوم
در سال های اخیر، موادی با ثابت دی الکتریک بالا نظیر اکسید آلومینیوم و اکسید تیتانیوم به جای گیت اکسید سیلیکون فرانازک مورد مطالعه قرار گرفته اند. در کار حاضر چنین اکسیدهایی در دماهای مختلف و تحت شرایط فراخلا بر روی زیرلایه ی si(100) رشد یافته اند. نتایج بدست آمده نشان می دهند که اکسید آلومینیوم از ساختار مناسب تری نسبت به ساختار اکسید تیتانیوم برخوردار است و می تواند به عنوان یک گیت دی الکتریک ...
full textMy Resources
document type: thesis
وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه پیام نور - دانشکده علوم پایه
Hosted on Doprax cloud platform doprax.com
copyright © 2015-2023